1. Кремний нигезендәге яктырткычларның хәзерге гомуми технологик торышына күзәтү

Кремний субстратларда GaN материалларының үсеше ике зур техник проблема белән очраша.Беренчедән, кремний субстрат белән GaN арасында 17% га кадәр тәлинкәгә туры килмәү GaN материалы эчендә урнашу тыгызлыгына китерә, бу люминесенция эффективлыгына тәэсир итә;Икенчедән, кремний субстрат белән GaN арасында 54% га кадәр җылылык туры килмәү бар, бу GaN фильмнарын югары температура үсешеннән һәм бүлмә температурасына төшкәннән соң ярылырга мөмкин, җитештерү уңышына тәэсир итә.Шуңа күрә, кремний субстрат һәм GaN нечкә пленка арасында буфер катламының үсеше бик мөһим.Буфер катламы GaN эчендә урнашкан тыгызлыкны киметүдә һәм GaN яракларын җиңеләйтүдә роль уйный.Күпчелек дәрәҗәдә, буфер катламының техник дәрәҗәсе эчке квант эффективлыгын һәм LED җитештерүнең җитештерүчәнлеген билгели, бу кремнийга нигезләнгән фокус һәм кыенлык.ИНДИКАТОР.Хәзерге вакытта, сәнәгатьтән дә, академиядән дә тикшеренүләргә һәм үсешкә зур инвестицияләр кертеп, бу технологик проблема нигездә җиңелде.

Кремний субстрат күренеп торган яктылыкны үзләштерә, шуңа күрә GaN фильмы башка субстратка күчерелергә тиеш.Күчерү алдыннан, GaN фильмы белән бүтән субстрат арасында югары чагылдыргыч рефлектор кертелә, GaN чыгарган яктылыкның субстратка сеңмәсен өчен.Субстрат күчерелгәннән соң LED структурасы тармакта Нечкә кино чипы буларак билгеле.Нечкә фильм чиплары традицион диффузия, җылылык үткәрүчәнлеге һәм урын бердәмлеге ягыннан традицион формаль структура чипларына караганда өстенлекләргә ия.

2. Хәзерге куллану статусына күзәтү һәм кремний субстрат светофорларның базар күзәтүе

Кремний нигезендәге светофорлар вертикаль структурага, бердәм ток бүленешенә һәм тиз диффузиягә ия, аларны югары көчле кушымталар өчен яраклы итә.Бер яклы яктылык чыгышы, яхшы юнәлешлелеге һәм яхшы яктылык сыйфаты аркасында ул мобиль яктырту өчен аеруча яраклы, мәсәлән, автомобиль яктырту, светофор, тау лампалары, кәрәзле телефон фонарьлары, һәм югары яктылык сыйфаты таләпләре булган югары яктырту кырлары. .

Ingзиннг Оптоэлектроника кремний субстрат LED технологиясе һәм процессы җитлеккән.Кремний субстрат зәңгәр якты LED чиплары өлкәсендә алдынгы өстенлекләрне саклап калу нигезендә, безнең продуктлар яктылык һәм югары сыйфатлы чыгаруны таләп итә торган яктырту кырларына таралуны дәвам итәләр, мәсәлән, югары яктылык һәм өстәмә кыйммәт булган ак якты LED чиплар. , Кәрәзле телефон светофоры, LED машина фаралары, LED урам яктырткычлары, LED фонарь һ.б.

3. Кремний субстрат LED үсеш тенденциясен фаразлау

Яктылык эффективлыгын күтәрү, чыгымнарны киметү яки чыгым-эффективлык - мәңгелек темаLED индустриясе.Кремний субстрат нечкә пленка чиплары кулланылганчы пакетланырга тиеш, һәм төрү бәясе LED куллану бәясенең зур өлешен тәшкил итә.Традицион упаковкаларны ташлагыз һәм компонентларны ваферга туплагыз.Башка сүзләр белән әйткәндә, вафердагы чип масштаблы упаковка (CSP) упаковка очын атлап, чип очыннан турыдан-туры кушымта ахырына керә ала, LED куллану бәясен тагын да киметә.CSP - кремнийдагы GaN нигезендәге светофорларның перспективаларының берсе.Тошиба һәм Самсунг кебек халыкара компанияләр CSP өчен кремний нигезендәге светодиодлар кулланганнары турында хәбәр иттеләр, һәм тиз арада базарда бәйләнешле продуктлар кулланылачак дип санала.

Соңгы елларда LED индустриясендә тагын бер кайнар урын - Micro LED, ул шулай ук ​​микрометр дәрәҗәсендәге LED дип атала.Микро светофорларның зурлыгы берничә микрометрдан дистәләрчә микрометрга кадәр, эпитакси үстергән GaN нечкә фильмнары калынлыгы белән бер дәрәҗәдә диярлек.Микрометр масштабында, GaN материаллары турыдан-туры вертикаль структуралы GaNLED итеп ясалырга мөмкин.Ягъни, Микро светофорлар әзерләү процессында, GaN үсү өчен субстрат алынырга тиеш.Кремнийга нигезләнгән светофорларның табигый өстенлеге шунда: кремний субстратын химик дым белән генә чыгарып була, чыгару процессында GaN материалына бернинди тәэсир итмичә, уңышны һәм ышанычлылыкны тәэмин итә.Бу яктан караганда, кремний субстрат LED технологиясе Micro LEDs өлкәсендә урын алырга тиеш.