LED чиплар ничек ясалган?

Нәрсә улалып баручы чип? Аның нинди үзенчәлекләре бар? LED чип җитештерү, нигездә, эффектив һәм ышанычлы түбән охмик контакт электродларын җитештерү, контактлы материаллар арасында чагыштырмача кечкенә көчәнеш төшүен канәгатьләндерү, чыбыкларны эретү өчен басым такталары белән тәэмин итү һәм мөмкин кадәр яктылык чыгару. Фильмга күчү процессы гадәттә вакуум парга әйләнү ысулын куллана. 4па югары вакуум астында материал каршылык җылыту яки электрон нур бомбардирование ысулы белән эретелә, һәм bZX79C18 металл пар булып китә һәм түбән басым астында ярымүткәргеч материал өслегенә урнаштырыла.

 

Гадәттә, кулланылган p тибындагы контакт металл Aube, auzn һәм башка эретмәләрне үз эченә ала, һәм n-контакт металл еш AuGeNi эретмәсе кабул итә. Электродның контакт катламы һәм ачылган эретелгән катлам литография процессы таләпләрен эффектив канәгатьләндерә ала. Фотолитография процессыннан соң, ул шулай ук ​​эретү процессы аша бара, ул гадәттә H2 яки N2 саклавы астында башкарыла. Эретү вакыты һәм температура гадәттә ярымүткәргеч материалларның үзенчәлекләренә һәм эретелгән мич формасына карап билгеләнә. Әлбәттә, зәңгәр һәм яшел кебек чип электрод процессы катлаулырак булса, пассив кино үсеше һәм плазманы эшкәртү процессы өстәлергә тиеш.

 

LED чип җитештерү процессында нинди процесс аның фотоэлектрик эшенә мөһим йогынты ясый?

 

Гомумән алганда, тәмамланганнан соңLED эпитаксиаль җитештерү, аның төп электр характеристикалары тәмамланды, һәм чип җитештерү аның атом табигатен үзгәртмәячәк, ләкин каплау һәм эретү процессындагы дөрес булмаган шартлар кайбер начар электр параметрларына китерәчәк. Мисал өчен, түбән яки югары эретелгән температура начар охмик контактка китерәчәк, бу чип җитештерүдә югары көчәнешнең VF төшүенең төп сәбәбе. Кискәннән соң, кайбер коррозия процесслары чип читендә башкарылса, чипның кире агып чыгуын яхшырту файдалы булыр. Чөнки бриллиант тарту тәгәрмәче белән киселгәннән соң, чип читендә күбрәк чүп-чар һәм порошок калачак. Әгәр дә алар LED чипның PN тоташуына ябышсалар, алар электр агып китүенә һәм хәтта өзелүенә китерәчәк. Моннан тыш, чип өслегендәге фоторезист чиста булмаса, алгы эретеп ябыштыруда һәм ялган эретеп ябыштыруда кыенлыклар тудырачак. Әгәр ул артта булса, ул шулай ук ​​югары басым төшүенә китерәчәк. Чип җитештерү процессында яктылык интенсивлыгын өскә кушып, аны кире трапезоид структурасына бүлеп яхшыртырга мөмкин.

 

Ни өчен LED чипларын төрле зурлыкларга бүләргә кирәк? LED-ның фотоэлектрик күрсәткечләренә зурлыкның нинди йогынтысы бар?

 

LED чип зурлыгын аз көчле чипка, урта көч чипына һәм көч буенча югары көчле чипка бүлеп була. Клиент таләпләре буенча аны бер труба дәрәҗәсенә, санлы дәрәҗәгә, нокта матрицасы дәрәҗәсенә һәм декоратив яктыртуга бүлеп була. Чипның зурлыгына килгәндә, ул төрле чип җитештерүчеләрнең җитештерү дәрәҗәсенә карап билгеләнә, һәм конкрет таләп юк. Процесс үткәндә, чип берәмлек җитештерүне яхшырта һәм бәяне киметә ала, һәм фотоэлектр җитештерүчәнлеге төптән үзгәрмәячәк. Чипны куллану токы чыннан да чип аша агып торган ток тыгызлыгы белән бәйле. Чип кечкенә булганда, куллану токы кечкенә, һәм чип зур булганда, куллану токы зур. Аларның берәмлек ток тыгызлыгы нигездә бер үк. Heatылылыкның таралуы югары ток астында төп проблема булуын исәпкә алып, аның якты эффективлыгы түбән токныкыннан түбән. Икенче яктан, мәйдан арткан саен, чипның тән каршылыгы кимиячәк, шуңа күрә көчәнешнең алга китүе кимиячәк.

 

LED югары көчле чипның мәйданы нинди? Нигә?

 

Powerгары көчле фишкаларак яктылык өчен базарда гадәттә 40мил. Powerгары көчле чипларның куллану көче, гадәттә, 1Втан артык электр көчен аңлата. Квант эффективлыгы гадәттә 20% тан ким булмаганлыктан, электр энергиясенең күпчелеге җылылык энергиясенә әвереләчәк, шуңа күрә югары көчле чипның җылылык таралуы бик мөһим, һәм чип зур мәйданга ия булырга тиеш.

 

GaN эпитаксиаль материаллар җитештерү өчен чип технологиясе һәм эшкәртү җиһазларының төрле таләпләре нинди, аерма, GaAs һәм InGaAlP белән чагыштырганда? Нигә?

 

Гади LED кызыл һәм сары чипларның субстратлары һәм ачык Дүрт кызыл һәм сары чиплар ярымүткәргеч материаллардан ясалган, бушлык һәм GaAs, алар гадәттә n тибындагы субстратларга ясалырга мөмкин. Дым процессы литография өчен кулланыла, аннары чипны кисәр өчен бриллиант тарту тәгәрмәче кулланыла. GaN материалының зәңгәр-яшел чипы - сапфир субстрат. Сапфир субстраты изоляцияләнгәнгә, аны LED баганасы итеп кулланып булмый. Эпитаксиаль өслектә p / N электродларын коры эфир процессы һәм кайбер пассивлаштыру процесслары аша ясарга кирәк. Сапфир бик каты булганлыктан, бриллиант тарту тәгәрмәче белән чиплар ясау кыен. Аның технологик процессы, гадәттә, аерма һәм GaAs материалларыннан ясалган LED процессына караганда катлаулырак һәм катлаулырак.

 

"Ачык электрод" чипының структурасы һәм үзенчәлекләре нинди?

 

Ачык электрод дип аталган үткәргеч һәм үтә күренмәле булырга тиеш. Бу материал хәзер сыек кристалл җитештерү процессында киң кулланыла. Аның исеме индий калай оксиды, ул кыскартылган ITO, ләкин аны эретеп ябыштыручы итеп кулланып булмый. Ясалма вакытта охмик электрод чип өслегендә ясалачак, аннары ITO катламы өслектә капланачак, аннары ITO өслегендә эретеп ябыштыручы катлам куелачак. Шул рәвешле, корычтан алынган ток ITO катламы аша һәр охмик контакт электродына тигез бүленә. Шул ук вакытта, ITOның реактив индексы һава һәм эпитаксиаль материалның реактив индексы арасында булганлыктан, яктылык почмагы яхшырырга һәм якты агым артырга мөмкин.

 

Ярымүткәргеч яктырту өчен чип технологиясенең төп агымы нинди?

 

Ярымүткәргеч LED технологиясе үсеше белән, аны яктырту өлкәсендә куллану көннән-көн арта бара, аеруча ак LED барлыкка килү ярымүткәргеч яктырту кайнар ноктасына әверелде. Ләкин, төп чип һәм төрү технологиясен камилләштерергә кирәк. Чип ягыннан без югары көчкә, югары яктылык эффективлыгына һәм җылылык каршылыгын киметергә тиеш. Көчне арттыру - чипның куллану токы арту дигән сүз. Төгәлрәк ысул - чип зурлыгын арттыру. Хәзерге вакытта гомуми югары көчле фишкалар 1 мм × 1 мм яки аннан да күбрәк, һәм эш токы 350МА куллану токының артуы аркасында җылылык тарату проблемасы күренекле проблемага әйләнде. Хәзер бу проблема нигездә чип флип ысулы белән чишелә. LED технологиясе үсеше белән, аны яктырту өлкәсендә куллану моңарчы күрелмәгән мөмкинлек һәм проблема белән очрашачак.

 

Флип чип нәрсә ул? Аның структурасы нинди? Аның нинди өстенлекләре бар?

 

Зәңгәр LED гадәттә Al2O3 субстратын кабул итә. Al2O3 субстратының катылыгы һәм түбән җылылык үткәрүчәнлеге бар. Әгәр дә ул формаль структураны кабул итсә, бер яктан, анти-статик проблемалар китерәчәк; икенче яктан, җылылыкның таралуы да югары ток астында төп проблемага әйләнәчәк. Шул ук вакытта, алгы электрод өскә күтәрелгәнгә, ниндидер яктылык блокланыр, яктылык эффективлыгы кимер. Powerгары көчле зәңгәр LED традицион упаковка технологиясенә караганда чип флип чип технологиясе ярдәмендә эффектив яктылык ала ала.

 

Хәзерге вакытта төп флип чип структурасы ысулы: беренчедән, эйтектик эретеп ябыштыру электроды белән зур күләмле зәңгәр LED чип әзерләгез, зәңгәр LED чиптан бераз зуррак кремний субстрат әзерләгез, һәм алтын үткәргеч катлам ясагыз һәм чыбык катламын чыгарыгыз ( ультратавышлы алтын чыбык шар эретүче) аның өстендә эвтектик эретеп ябыштыру өчен. Аннары, югары көчле зәңгәр LED чип һәм кремний субстрат эвтектик эретеп ябыштыру җайланмалары белән бергә эретәләр.

 

Бу структураның характеристикасы шунда: эпитаксиаль катлам кремний субстрат белән туры элемтәдә тора, һәм кремний субстратының җылылык каршылыгы сапфир субстратына караганда күпкә түбән, шуңа күрә җылылык тарату проблемасы яхшы чишелә. Сапфир субстраты флип монтажланганнан соң өскә карый, ул яктылык чыгаручы өслеккә әйләнә, һәм сапфир ачык, шуңа күрә яктылык чыгару проблемасы да чишелә. LEDгарыда әйтелгәннәр - LED технологиясе. Фән һәм технология үсеше белән булачак LED лампалар тагын да эффективрак булыр, хезмәт итү вакыты яхшырыр, бу безгә уңайлыклар китерер дип ышанам.


Пост вакыты: март-09-2022