Нәрсә улLED чип? Аның нинди үзенчәлекләре бар?LED чип җитештерүнигездә эффектив һәм ышанычлы түбән ох контакт электродын җитештерү, контакт материаллары арасында чагыштырмача кечкенә көчәнеш төшүен канәгатьләндерү, эретеп ябыштыру өчен басым тактасын тәэмин итү, һәм шул ук вакытта мөмкин кадәр яктылык. Күчмә кино процессы гадәттә вакуум парга әйләнү ысулын куллана. 4Pa югары вакуум астында материаллар каршылык җылыту яки электрон нур бомбардировщик җылыту белән эретелә, һәм BZX79C18 түбән басым астында ярымүткәргеч материаллар өслегенә металл парларга әверелә.

Гадәттә кулланыла торган P тибындагы контакт металлларга AuBe, AuZn һәм башка эретмәләр керә, һәм N ягында контакт металллары гадәттә AuGeNi эретмәләре. Катламнан соң барлыкка килгән эретелгән катлам шулай ук ​​якты мәйданны фотолитография ярдәмендә мөмкин кадәр ачыкларга тиеш, калган эретелгән катлам эффектив һәм ышанычлы түбән ох контакт электрод һәм эретеп ябыштыру линиясе таләпләренә җавап бирә ала. Фотолитография процессы тәмамлангач, эретү процессы H2 яки N2 саклавы астында алып барыла. Эретү вакыты һәм температурасы гадәттә ярымүткәргеч материалларның үзенчәлекләренә һәм эретелгән мич формасына карап билгеләнә. Әлбәттә, зәңгәр-яшел кебек чип электрод процессы катлаулырак булса, пассив пленка үсеше һәм плазманы эшкәртү процессы өстәлергә тиеш.

LED чип җитештерү процессында аның фотоэлектрик эшенә нинди процесслар мөһим йогынты ясый?

Гомумән алганда, LED эпитаксиаль производство тәмамланганнан соң, аның төп электр күрсәткече тәмамланды. Чип җитештерү төп җитештерү табигатен үзгәртмәячәк, ләкин каплау һәм эретү процессындагы шартлар кайбер электр параметрларының начар булуына китерәчәк. Мисал өчен, түбән яки югары эретелгән температура начар охмик контактка китерәчәк, бу чип җитештерүдә югары көчәнешнең VF төшүенең төп сәбәбе. Киселгәннән соң, чип читендә ниндидер эфир процессы үткәрелсә, чипның кире агып чыгуын яхшырту файдалы булыр. Чөнки бриллиант тарту тәгәрмәче белән киселгәннән соң, чип читендә чүп-чар порошогы калачак. Әгәр дә бу кисәкчәләр LED чипның PN тоташуына ябышсалар, алар электр агып китүенә, хәтта өзелүенә китерәчәк. Моннан тыш, әгәр чип өслегендәге фоторесист чиста суырылмаса, алгы чыбыкны бәйләүдә һәм ялган эретүдә кыенлыклар тудырачак. Әгәр дә ул арт булса, ул шулай ук ​​югары басым төшүенә китерәчәк. Чип җитештерү процессында яктылык интенсивлыгы өслекне катырту һәм инверсия трапезоид структурасына кисү ярдәмендә яхшырырга мөмкин.

Ни өчен LED чиплары төрле зурлыкларга бүленә? Зурлыкның нинди йогынтысы барLED фотоэлектрспектакль?

LED чип зурлыгын кечкенә көч чипына, урта көч чипына һәм көч буенча югары көчле чипка бүлеп була. Клиент таләпләре буенча, аны бер труба дәрәҗәсенә, санлы дәрәҗәгә, такталар дәрәҗәсенә һәм декоратив яктырту һәм башка категорияләргә бүлеп була. Чипның зурлыгы төрле чип җитештерүчеләрнең җитештерү дәрәҗәсенә бәйле, һәм конкрет таләп юк. Процесс квалификацияле булганда, чип берәмлек җитештерүне яхшырта һәм бәяне киметә ала, һәм фотоэлектр җитештерүчәнлеге төптән үзгәрмәячәк. Чип кулланган ток, чыннан да, чип аша агып торган ток тыгызлыгы белән бәйле. Чип кулланган ток кечкенә һәм чип кулланган ток зур. Аларның берәмлек ток тыгызлыгы нигездә бер үк. Heatылылык таралуның югары ток астында төп проблема булуын исәпкә алып, аның якты эффективлыгы түбән ток белән чагыштырганда түбән. Икенче яктан, мәйдан арткан саен, чипның тавыш каршылыгы кимиячәк, алга таба үткәрү көчәнеше кимиячәк.

LED зур көчле чип нинди зурлыктагы чипны аңлата? Нигә?

Ак яктылык өчен кулланылган LED югары көчле чиплар, гадәттә, базарда якынча 40 миль тирәсендә күренергә мөмкин, һәм югары көчле чиплар дип аталганнар, гадәттә, электр энергиясе 1W-тан артык. Квант эффективлыгы, гадәттә, 20% тан ким булмаганлыктан, электр энергиясенең күпчелеге җылылык энергиясенә әвереләчәк, шуңа күрә югары көчле чипларның җылылык таралуы бик мөһим, зуррак чип мәйданын таләп итә.

GaP, GaAs һәм InGaAlP белән чагыштырганда, GaN эпитаксиаль материаллар җитештерү өчен чип процессы һәм эшкәртү җиһазларының төрле таләпләре нинди? Нигә?

Гади LED кызыл һәм сары чипларның субстратлары һәм дүртенче кызыл һәм сары чиплар GaP, GaAs һәм башка катнаш ярымүткәргеч материаллардан эшләнгән, алар гадәттә N тибындагы субстратларга ясалырга мөмкин. Дым процессы фотолитография өчен кулланыла, соңрак бриллиант тәгәрмәч плитасы чипларга кисү өчен кулланыла. GaN материалының зәңгәр-яшел чипы - сапфир субстрат. Сапфир субстраты изоляцияләнгәнгә, аны LED баганасы итеп кулланып булмый. P / N электродлары эпитаксиаль өслектә бер үк вакытта коры эфир процессы һәм кайбер пассивлаштыру процесслары аша ясалырга тиеш. Сапфирлар бик каты булганга, бриллиант тарту тәгәрмәчләре белән чипларны кисү кыен. Аның процессы, гадәттә, GaP һәм GaAs яктырткычларына караганда катлаулырак.

"Ачык электрод" чипының структурасы һәм үзенчәлекләре нинди?

Ачык электрод дип аталган электр һәм яктылык үткәрә белергә тиеш. Бу материал хәзер сыек кристалл җитештерү процессында киң кулланыла. Аның исеме Индиум Калай Оксиды (ITO), ләкин аны эретеп ябыштыручы итеп кулланып булмый. Ясалыш вакытында охмик электрод чип өслегендә ясалачак, аннары ITO катламы өслектә капланачак, аннары ITO өслегендә эретеп ябыштыру катламы капланачак. Шул рәвешле, корычтан алынган ток ITO катламы аша һәр охмик контакт электродына тигез бүленә. Шул ук вакытта, ITO реактив индексы һава белән эпитаксиаль материалның реактив индексы арасында булганлыктан, яктылык почмагы артырга мөмкин, якты агым да артырга мөмкин.

Ярымүткәргеч яктырту өчен чип технологиясенең төп агымы нинди?

Ярымүткәргеч LED технологиясе үсеше белән, аны яктырту өлкәсендә куллану көннән-көн арта бара, аеруча ярымүткәргеч яктырту үзәгенә әверелгән ак LED барлыкка килү. Ләкин, төп чип һәм төрү технологиясе әле дә камилләштерелергә тиеш, һәм чип югары көч, югары яктылык эффективлыгы һәм түбән җылылык каршылыгы өчен эшләнергә тиеш. Көчне арттыру - чип кулланган токны арттыру дигән сүз. Төгәлрәк ысул - чип зурлыгын арттыру. Хәзерге вакытта югары көчле чиплар барысы 1 мм × 1 мм, һәм ток 350МА. Ток куллану арту аркасында җылылык тарату проблемасы күренекле проблемага әйләнде. Хәзер бу проблема нигездә чип флип белән чишелде. LED технологиясе үсеше белән аны яктырту өлкәсендә куллану моңарчы күрелмәгән мөмкинлек һәм кыенлыклар белән очрашачак.

Флип чип нәрсә ул? Аның структурасы нинди? Аның нинди өстенлекләре бар?

Зәңгәр LED гадәттә Al2O3 субстратын куллана. Al2O3 субстратының каты булуы, түбән җылылык үткәрүчәнлеге һәм үткәрүчәнлеге бар. Әгәр уңай структура кулланылса, бер яктан, ул анти-статик проблемалар тудырачак, икенче яктан, югары агым шартларында җылылыкның таралуы да зур проблемага әйләнәчәк. Шул ук вакытта, алгы электрод өскә караганга, яктылыкның бер өлеше блокланыр һәм яктылык эффективлыгы кимер. Powerгары көчле зәңгәр LED чип флип чип технологиясе ярдәмендә традицион упаковка технологиясенә караганда эффектив яктылык ала ала.

Хәзерге төп агым структурасы алымы: беренчедән, зур эйтектик эретеп ябыштыру электроды белән зур күләмле зәңгәр LED чип әзерләгез, шул ук вакытта зәңгәр LED чиптан бераз зуррак кремний субстрат әзерләгез, һәм алтын үткәргеч катлам һәм корыч чыбык җитештерегез. эвтектик эретеп ябыштыру өчен катлам (УЗИ алтын чыбык шар эретү кушылмасы). Аннары, югары көчле зәңгәр LED чип һәм кремний субстрат эвтектик эретеп ябыштыру җайланмалары ярдәмендә бергә эретәләр.

Бу структура эпитаксиаль катламның кремний субстрат белән турыдан-туры бәйләнештә булуы белән аерылып тора, һәм кремний субстратының җылылык каршылыгы сапфир субстратына караганда күпкә түбән, шуңа күрә җылылык тарату проблемасы яхшы чишелгән. Сапфирның субстраты инверсиядән соң каршы торганга, ул яктылык чыгаручы өслеккә әйләнә. Сапфир ачык, шуңа күрә яктылык чыгару проблемасы да чишелә. LEDгарыда әйтелгәннәр - LED технологиясе. Фән һәм технология үсеше белән киләчәктә LED лампалар тагын да эффективрак булыр, һәм аларның хезмәт итү вакыты күпкә яхшырыр, безгә уңайлыклар китерер дип ышанам.