LED чип нәрсә ул? Аның нинди үзенчәлекләре бар? LED чиплар җитештерү, нигездә, эффектив һәм ышанычлы түбән охмик контакт электродлар җитештерүгә юнәлтелгән, алар контакт материаллары арасында чагыштырмача кечкенә көчәнеш төшүен канәгатьләндерә ала һәм эретеп ябыштыра ала, шул ук вакытта мөмкин кадәр яктылык җибәрә. Фильм тапшыру процессы гадәттә вакуум парга әйләнү ысулын куллана. 4Pa югары вакуум астында материал каршылык җылыту яки электрон нур бомбардировщик җылыту ысулы белән эретелә, һәм BZX79C18 металл парга әверелә һәм түбән басым астында ярымүткәргеч материал өслегенә урнаштырыла.
Гадәттә кулланыла торган P тибындагы контакт металлларга AuBe һәм AuZn кебек эретмәләр керә, N-контакт металл еш AuGeNi эретмәсе белән ясала. Катламнан соң барлыкка килгән эретелгән катлам шулай ук яктылык җибәрүче мәйданны фотолитография технологиясе ярдәмендә мөмкин кадәр ачыкларга тиеш, калган эретелгән катлам эффектив һәм ышанычлы түбән охмик контакт электродлары һәм эретеп чыбык чыбыклары таләпләренә җавап бирә ала. Фотолитография процессы тәмамлангач, эретү процессы да үткәрелә, гадәттә H2 яки N2 саклавы астында. Эретү вакыты һәм температурасы гадәттә ярымүткәргеч материалларның характеристикалары һәм эретелгән мич формасы кебек факторлар белән билгеләнә. Әлбәттә, зәңгәр-яшел чиплар өчен электрод процессы катлаулырак булса, пассивация пленкасы үсеше һәм плазма эфирлау процесслары өстәлергә тиеш.
LED чиплар җитештерү процессында нинди процесслар аларның оптоэлектрон эшенә зур йогынты ясый?
Гомумән алганда, LED эпитаксиаль производство тәмамланганнан соң, аның төп электр характеристикалары тәмамланды, һәм чип җитештерү аның төп табигатен үзгәртми. Ләкин, каплау һәм эретү процесслары вакытында урынсыз шартлар кайбер начар электр параметрларына китерергә мөмкин. Мәсәлән, түбән яки югары эретелгән температура начар охмик контактка китерергә мөмкин, бу чип җитештерүдә югары көчәнешнең VF төшүенең төп сәбәбе. Киселгәннән соң, чип читендә кайбер коррозия процессларын башкару, чипның кире агып чыгуын яхшыртуда ярдәм итә ала. Чөнки бриллиант тарту тәгәрмәче белән киселгәннән соң, чип читендә чүп-чар порошогы калачак. Әгәр дә бу кисәкчәләр LED чипның PN тоташуына ябышсалар, алар электр агып китүенә һәм хәтта өзелүенә китерәчәк. Моннан тыш, чип өслегендәге фоторесист чиста суырылмаса, бу алгы сызыкларның виртуаль ябышуына кыенлыклар китерәчәк. Әгәр дә ул артта булса, ул шулай ук югары басым төшүенә китерәчәк. Чип җитештерү процессында өслекне катырту һәм инверсия трапезоид структураларына кисү кебек ысуллар яктылык интенсивлыгын арттырырга мөмкин.
Ни өчен LED чиплары төрле зурлыкларга бүленә? LED-ның фотоэлектрик күрсәткечләренә зурлыкның нинди йогынтысы бар?
LED чипларның зурлыгын аз көчле чипларга, урта көч чипларына һәм көченә карап югары көчле чипларга бүлеп була. Клиент таләпләренә туры китереп, аны бер труба дәрәҗәсе, санлы дәрәҗә, нокта матрицасы дәрәҗәсе, декоратив яктырту кебек категорияләргә бүлеп була. Чипның конкрет зурлыгына килгәндә, ул төрле чип җитештерүчеләрнең җитештерү дәрәҗәсенә бәйле һәм конкрет таләпләр юк. Процесс стандартка туры килгәндә, кечкенә чиплар берәмлек җитештерүне арттырырга һәм чыгымнарны киметергә мөмкин, һәм оптоэлектрон җитештерүчәнлек төп үзгәрешләр кичермәячәк. Чип кулланган ток, чыннан да, аның аша агып торган ток тыгызлыгы белән бәйле. Кечкенә чип аз ток куллана, зур чип күбрәк ток куллана. Аларның берәмлек ток тыгызлыгы нигездә бер үк. Heatылылыкның таралуы югары ток астында төп проблема булуын исәпкә алып, аның якты эффективлыгы түбән ток белән чагыштырганда түбән. Икенче яктан, мәйдан арткан саен, чипның тән каршылыгы кимиячәк, нәтиҗәдә алга үткәрү көчәнеше кими.
LED югары көчле чипларның типик мәйданы нинди? Нигә?
Ак яктылык өчен кулланылган LED югары көчле чиплар базарда гадәттә 40мил тирәсендә бар, һәм югары көчле чипларның энергия куллануы гадәттә 1W-тан югары электр энергиясен аңлата. Квант эффективлыгы гадәттә 20% тан ким булмаганга, күпчелек электр энергиясе җылылык энергиясенә әверелә, шуңа күрә югары көчле фишкаларның җылылык таралуы бик мөһим һәм чипларның зур мәйданы булуын таләп итә.
GaP, GaAs, InGaAlP белән чагыштырганда, GaN эпитаксиаль материаллар җитештерү өчен чип процессы һәм эшкәртү җиһазларына төрле таләпләр нинди? Нигә?
Гадәттәге LED кызыл һәм сары чипларның субстратлары һәм югары яктылык дүртенче кызыл һәм сары чиплар GaP һәм GaAs кебек катнаш ярымүткәргеч материаллардан эшләнгән, һәм гадәттә N тибындагы субстратларга ясалырга мөмкин. Дым процессы фотолитография өчен кулланыла, аннары бриллиант тарту тәгәрмәчләре чипларга кисү өчен кулланыла. GaN материалыннан ясалган зәңгәр-яшел чип сапфир субстратын куллана. Сапфир субстратының изоляцион характеры аркасында аны LED электроды итеп кулланып булмый. Шуңа күрә, P / N электродлары бер үк вакытта эпитаксиаль өслектә коры эфир процессы аша ясалырга тиеш, һәм кайбер пассивлаштыру процесслары үткәрелергә тиеш. Сапфирның каты булуы аркасында аны бриллиант тарту тәгәрмәче белән чипларга кисү кыен. Аның җитештерү процессы, гадәттә, GaP яки GaAs материалларыннан ясалган LED-ларга караганда катлаулырак һәм катлаулы.
"Ачык электрод" чипының структурасы һәм үзенчәлекләре нинди?
Ачык электрод дип аталган үткәргеч һәм үтә күренмәле булырга тиеш. Бу материал хәзер сыек кристалл җитештерү процессларында киң кулланыла, һәм аның исеме индий калай оксиды, кыскартылган ITO, ләкин аны эретеп ябыштыручы итеп кулланып булмый. Ясалганда, башта чип өслегендә охмик электрод ясагыз, аннары өслекне ITO катламы белән каплагыз һәм ITO өслегендә эретеп ябыштыручы катлам куегыз. Шул рәвешле, корычтан төшкән ток һәр охмик контакт электродына ITO катламы аша тигез бүленә. Шул ук вакытта, ITO, реактив индексы һава һәм эпитаксиаль материаллар арасында булганга, яктылык чыгару почмагын һәм якты агымны арттыра ала.
Ярымүткәргеч яктырту өчен чип технологиясенең төп үсеше нинди?
Ярымүткәргеч LED технологиясе үсеше белән, аны яктырту өлкәсендә куллану да арта, аеруча ярымүткәргеч яктыртуда кайнар темага әверелгән ак LED барлыкка килү. Шулай да, төп чип һәм төрү технологияләре әле дә камилләштерелергә тиеш, һәм чиплар ягыннан безгә югары көчкә, югары яктылык эффективлыгына һәм җылылык каршылыгын киметергә кирәк. Көчнең артуы чип кулланган токның артуын аңлата, һәм турыдан-туры чип зурлыгын арттыру. Гадәттә кулланыла торган югары көчле чиплар 1 мм × 1 мм тирәсе, токы 350МА. Агымдагы куллануның артуы аркасында җылылыкның таралуы күренекле проблемага әйләнде, һәм хәзер бу проблема чип инверсиясе ысулы белән чишелде. LED технологиясе үсеше белән, аны яктырту өлкәсендә куллану моңарчы күрелмәгән мөмкинлекләр һәм проблемалар белән очрашачак.
Нәрсә ул "флип чип"? Аның структурасы нинди? Аның нинди өстенлекләре бар?
Зәңгәр LED гадәттә югары каты, түбән җылылык һәм электр үткәрүчәнлеге булган Al2O3 субстратын куллана. Әгәр уңай структура кулланылса, ул бер яктан анти-статик проблемалар китерәчәк, икенче яктан, югары агым шартларында җылылыкның таралуы да төп проблемага әйләнәчәк. Шул ук вакытта уңай электрод өскә каралганга, яктылыкның бер өлеше блокланачак, нәтиҗәдә яктылык эффективлыгы кими. Powerгары көчле зәңгәр LED традицион упаковка технологиясенә караганда чип инверсия технологиясе ярдәмендә эффектив яктылык чыгаруга ирешә ала.
Хәзерге вакытта төп агымның инверсияләнгән структурасы - иң элек зур күләмле зәңгәр LED чипларын тиешле эвтектик эретү электродлары белән әзерләү, һәм шул ук вакытта зәңгәр LED чипка караганда бераз зуррак кремний субстрат әзерләү, аннары алтын үткәргеч катлам ясау һәм чыбык чыгару. эвтектик эретү өчен катлам (ультратавышлы алтын чыбык шар эретү кушылмасы). Аннары, югары көчле зәңгәр LED чип кремний субстратына эвтектик эретү җайланмалары ярдәмендә эретелә.
Бу структураның характеристикасы шунда: эпитаксиаль катлам кремний субстратына турыдан-туры бәйләнә, һәм кремний субстратының җылылык каршылыгы сапфир субстратына караганда күпкә түбән, шуңа күрә җылылык тарату проблемасы яхшы чишелә. Сапфир субстратының өскә таба борылуы аркасында ул яктылык чыгаручы өслеккә әйләнә, һәм сапфир ачык, шулай итеп яктылык чыгару проблемасын чишә. LEDгарыда әйтелгәннәр - LED технологиясе. Фән һәм технология үсеше белән киләчәктә LED яктырткычлар эффективрак булачак һәм аларның хезмәт итү вакыты яхшырачак, безгә уңайлыклар китерәчәк дип ышанабыз.
Пост вакыты: 25-2024 сентябрь