Глобаль энергия кытлыгы һәм әйләнә-тирә мохитнең пычрануы аркасында, LED дисплей энергияне саклау һәм әйләнә-тирә мохитне саклау үзенчәлекләре аркасында киң куллану мәйданына ия.Яктырту өлкәсендә куллануЯкты продуктлардөнья игътибарын җәлеп итә.Гомумән алганда, LED лампаларның тотрыклылыгы һәм сыйфаты лампа тәненең җылылык таралуы белән бәйле.Хәзерге вакытта базарда югары яктылыклы LED лампаларның җылылык таралуы еш кына табигый җылылык таратуны кабул итә, һәм эффект идеаль түгел.LED лампаларLED яктылык чыганагы белән эшләнгән LED, җылылык тарату структурасы, йөртүче һәм линза.Шуңа күрә җылылыкның таралуы да мөһим өлеш.Әгәр дә LED яхшы җылыта алмаса, аның хезмәт итү вакыты да тәэсир итәчәк.

Куллануда төп проблема - җылылык белән идарә итүюгары яктылык LED

III группа нитридларының p тибындагы допингы Mg кабул итүчеләрнең эретүчәнлеге һәм тишекләрнең югары башлангыч энергиясе белән чикләнгәнгә, p тибындагы төбәктә җылылык аеруча җиңел, һәм бу җылылык җылыткычка таралырга тиеш. бөтен структурасы аша;LED җайланмаларның җылылык тарату ысуллары, нигездә, җылылык үткәрү һәм җылылык конвекциясе;Сапфир субстрат материалының бик түбән җылылык үткәрүчәнлеге җайланманың җылылык каршылыгын арттыруга китерә, нәтиҗәдә үз-үзеңне җылыту эффекты җайланманың эшенә һәм ышанычлылыгына зарарлы тәэсир итә.

Heatылылыкның югары яктылыкка тәэсире

Heatылылык кечкенә чипта тупланган, һәм чип температурасы арта, нәтиҗәдә җылылык стрессының бертөрле булмаган бүленеше һәм чипның якты эффективлыгы һәм фосфор лизинг эффективлыгы кими;Температура билгеле бер кыйммәттән артканда, җайланманың ватылу дәрәҗәсе тиз арта.Статистика мәгълүматлары шуны күрсәтә: компонент температурасында 2 ℃ күтәрелү ышанычлылыгы 10% ка кими.Ак яктырту системасын формалаштыру өчен берничә светофор тыгыз урнашканда, җылылык тарату проблемасы җитдирәк.Heatылылык белән идарә итү проблемасын чишү югары яктылыклы LED куллану өчен алшарт булды.

Чип зурлыгы һәм җылылыкның таралуы арасындагы бәйләнеш

Энергия LED дисплей экранының яктылыгын яхшырту өчен иң туры ысул - кертү көчен арттыру, һәм актив катлам туенмасын өчен, pn узышының күләме тиешенчә артырга тиеш;Керү көчен арттыру котылгысыз рәвештә тоташу температурасын күтәрәчәк һәм квант эффективлыгын киметәчәк.Бер транзистор көчен яхшырту җайланманың pn чишелешеннән җылылык экспортлау мөмкинлегенә бәйле.Хәзерге чип материалын, структурасын, төрү процессын, чиптагы агым тыгызлыгын һәм эквивалент җылылык тарату шартларында, чипның зурлыгын арттыру тоташу температурасын күтәрәчәк.